SPB47N10详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:47A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:33 毫欧 @ 33A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 2mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 25V
- 功率_最大:175W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
SPB47N10L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:47A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫欧 @ 33A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 2mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:135nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 25V
- 功率_最大:175W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN RCPT .100" 9POS TIN T/H
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANSISTOR PNP 20V 500MA TO-92
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 10V 20% 1411
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 - 2 引线,成形 PHOTODIODE 900NM 5MM SMD RADIAL
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 96-LFBGA IC BUFF/DVR TRI-ST 32BIT 96LFBGA
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 22UF 25V 10% 2917
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 16V 20% 1411
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC REGISTERED TRANSCVR 24SOIC
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 1206(3216 公制) PHOTODIODE PIN 820NM SMD
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 22UF 35V 10% 2917
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 40V SMPC