

SPB10N10详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫欧 @ 7.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:426pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
SPB10N10 G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫欧 @ 7.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:19.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:426pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
SPB10N10L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:154 毫欧 @ 8.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:444pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
SPB10N10L G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:154 毫欧 @ 8.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:444pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:Digi-Reel®
SPB10N10L G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:154 毫欧 @ 8.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:444pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
SPB10N10L G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:154 毫欧 @ 8.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:444pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC RS-232 DRIVER/REC 20-SOIC
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Vishay Semiconductor Opto Division 4-SMD,鸥翼型 OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 200% 4SOP
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 8-XFBGA,DSBGA IC DUAL 2-IN EX-OR GATE 8-DSBGA
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Texas Instruments 16-VFQFN 裸露焊盘 IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16VQFN
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20TSSOP
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC QUAD DRIVER/REC LOOP 24-SOIC
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 37POS STRGHT PIN
- 光学 - 反射式 - 逻辑输出 OSRAM Opto Semiconductors Inc 6-SMD INTERRUPTER REFLECT SCHMITT SMD
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 16TSSOP
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC QUAD LINE DRIVER 14-SOIC
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 37POS STRAIGHT W/PINS
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20TSSOP
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 96-LFBGA IC BUS TRANSCVR 32BIT 96BGA
- 矩形 - 外壳 JST Sales America Inc TO-3P-3,SC-65-3 CONN RECEPT 2POS 1.8MM RED