SPB100N03S203 全国供应商、价格、PDF资料
SPB100N03S203T详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:7020pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:剪切带 (CT)
SPB100N03S203T详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:7020pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 68PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 200V 5% RADIAL
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC QUAD 2IN POS-NAND BUFF 14SOIC
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 EMITTER IR 950NM SMR RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 732K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB RCPT 37POS SLD CUP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 49.9K OHM 1/10W 1% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 68PF 150V 5% 0605
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向,5mm 直径(T 1 3/4) LED IR EMITTER 950NM
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE NAND QUAD 2-INPUT 14SOIC
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB PLUG 15POS SLD CUP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 4.32K OHM 1/10W 1% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 68PF 150V 5% 0605
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 750 OHM 1/8W .5% SMD 0805