SP8M4FU6TB详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A，7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 9A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
- 钽 Kemet 1206（3216 公制） CAP TANT 22UF 6.3V 20% 1206
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 2UF 660VAC QC TERM
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 4UF 370VAC QC TERM
- FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20TSSOP
- 钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 22UF 16V 10% 1411
- 钽 Kemet 1206（3216 公制） CAP TANT 22UF 10V 20% 1206
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 4UF 660VAC QC TERM
- 模块 - 插孔 Stewart Connector TO-277，3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
- 钽 Kemet 1206（3216 公制） CAP TANT 22UF 10V 20% 1206
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 4UF 370VAC QC TERM
- 钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 22UF 10V 20% 1411
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - QC 端子 CAP FILM 8UF 660VAC QC TERM
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20SSOP
- FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC
19166203057 
0755-82542579 
010-62962871、 
0755-22929859 
13528893675 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-23919407 
0755-82563615 
15914072177 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
