SN7002N E6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：带卷 (TR)
SN7002N E6433详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：带卷 (TR)
SN7002N H6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：带卷 (TR)
SN7002N H6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：剪切带 (CT)
SN7002N H6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：Digi-Reel®
SN7002N L6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：200mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：1.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：45pF @ 25V
- 功率_最大：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SOT23-3
- 包装：剪切带 (CT)
- LED - 电路板指示器，阵列，发光条，条形图 Bivar Inc TO-277，3-PowerDFN LED YELLOW SMD
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 10UF 10V 10% RADIAL
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC BUFFER NOR QUAD 2INP 14-SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- 线性 - 音頻放大器 STMicroelectronics 25-Flexiwatt（弯曲和交错引线） IC AMP AUDIO PWR 60W 25FLEXIWATT
- 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC SWITCH BUS 8BIT FET 20-SOIC
- 固定式 Tamura 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 330NH 590MA 1210 2%
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC BUFFER NOR QUAD 2INP 14-DIP
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 10UF 16V 10% RADIAL
- 线性 - 音頻放大器 STMicroelectronics 64-BQFP IC AMP PWM 200W BRIDGE 64HIQUAD
- 逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC SWITCH BUS 8BIT FET 20-SOIC
- 固定式 Tamura 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 390NH 530MA 1210 2%
- 逻辑 - 锁销 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC D-TYPE LATCH TRI-ST 20-SOIC
- 钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 10UF 20V 10% RADIAL
- 单二极管/齐纳 Vishay General Semiconductor DO-220AA DIODE ZENER 43V 500MW 5% SMP
0755-83202411 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88291559 
0755-82569753 
075584505750 
19166203057 
0755-83777607 
0755-82533156 
0755-84507209 
0755-82533534 
0755-23051326 
0512-67241533 
010-62962871、 
