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» 型号"SIR466DP-T1-GE3"的供应信息
SIR466DP-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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SIR466DP-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2730pF @ 15V
功率_最大:54W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:带卷 (TR)
SIR466DP-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2730pF @ 15V
功率_最大:54W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:剪切带 (CT)
SIR466DP-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2730pF @ 15V
功率_最大:54W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:Digi-Reel®
SIR466DP-T1-GE3供应商
SIR466DP-T1-GE3
深圳市励芯恒智能科技有限公司
0755-23487994
SIR466DP-T1-GE3
锦迅科技(香港)有限公司
0755-83226745
SIR466DP-T1-GE3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SIR466DP-T1-GE3
深圳市恒天华科技有限公司
0755-83793312
SIR466DP-T1-GE3 MOS(场效应管)
深圳市科思奇电子科技有限公司
0755-83245050
SIR466DP-T1-GE3
深圳市创盛芯科技有限公司
13048848270(同
SIR466DP-T1-GE3
深圳市中联芯电子有限公司
18025360035 0
SIR466DP-T1-GE3
深圳市芯福林电子科技有限公司
0755-82574045
SIR466DP-T1-GE3
深圳市科翼源电子有限公司
15507540751
SIR466DP-T1-GE3
深圳市裕硕科技有限公司
0755-23613962
SIR466DP-T1-GE3
深圳市芯脉实业有限公司
19166203057
SIR466DP-T1-GE3
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23140719
SIR466DP-T1-GE3
深圳市鸿鑫格电子科技有限公司
18674491576
SIR466DP-T1-GE3
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507690
SIR466DP-T1-GE3
深圳市旺财半导体有限公司
83209217
SIR466DP-T1-GE3
深圳市三得电子有限公司
13509684848
查看更多SIR466DP-T1-GE3的供应商
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SSRS8-14-01
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