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SIA911DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：94 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12.8nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 10V; 功率_最大：6.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：带卷 (TR)

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SIA911DJ-T1-E3
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SFH 4200-Z
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SGPD.12A
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SR211A331JARTR1
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SLP332M100E4P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 3300UF 100V 20% SNAP
SR155C102KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1000PF 50V 10% RADIAL
SRCN6A21-10P
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