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SIA413DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：Digi-Reel®

SIA413DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：剪切带 (CT)

SIA413DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫欧 @ 6.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：带卷 (TR)

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Slide Switches TE Connectivity 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） SWITCH SLIDE 4POS VERT BLACK T/H
SZ1SMA5916BT3G
TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AC，SMA TVS ZENER 1.5W 4.3V SMA
SM4124FT51R1
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 51.1 OHM 2W 1% WW 4124
SI7430DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
STPS10150CG-TR
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 2X5A 150V D2PAK