

SI9926BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.14W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI9926BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.14W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI9926BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.14W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI9926BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8.2A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.14W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI9926CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 8A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.3A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI9926CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.3A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.047UF 50V 20% RADIAL
- 螺线形绕线,伸缩套管 Richco Plastic Co PolarPak? INSTALLATION TOOL BLUE ABS
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 100PF 200V 10% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.012UF 50V 10% RADIAL
- PMIC - 电池管理 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CONTROLLR LI-ION 4.2V 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 100V 1% RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 100-LFBGA IC 32-BIT DSP W/FLASH 100-BGA
- RF 天线 Laird Technologies IAS 径向 ANT SECTOR TRI-MODE 12" N MALE
- 螺线形绕线,伸缩套管 Richco Plastic Co PolarPak? INSTALLATION TOOL RED G/F
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 120PF 200V 1% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1500PF 100V 10% RADIAL
- 套管 - 音频 CUI Inc 径向 CONN 2.5MM FEMALE STEREO JACK
- 螺线形绕线,伸缩套管 Richco Plastic Co PolarPak? INSTALLATION TOOL RED G/F
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.015UF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL