SI8402 全国供应商、价格、PDF资料

SI8402AB-B-IS详细规格

类别：数字隔离器

描述：IC I2C ISOLATOR BIDIR 8-SOIC

系列：-

制造商：Silicon Laboratories Inc

输入_输入侧1/输入侧2：2/1

通道数：1

电压_电源：3 V ~ 5.5 V

电压_隔离：2500Vrms

数据速率：10Mbps

传播延迟：20ns

输出类型：开路漏极

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：管件

SI8402DB-T1-E1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 1A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.47W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商设备封装：4-Microfoot

包装：带卷 (TR)

SI8402DB-T1-E1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 1A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.47W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商设备封装：4-Microfoot

包装：Digi-Reel®

SI8402DB-T1-E1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 1A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.47W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA

供应商设备封装：4-Microfoot

包装：剪切带 (CT)