

SI7960DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7960DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7960DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7960DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7960DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7960DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc 塑模盘 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3