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SI7958DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 11.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7958DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 11.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7958DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 11.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7958DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 11.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7958DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 11.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7958DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 11.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SY10E157JI
逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC MULTIPLEXER QUAD 2:1 28-PLCC
MS3106R22-1S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 2POS STRAIGHT W/SCKT
SI7949DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC
T520C227M004ATE018
钽 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 220UF 4V 20% 2312
SW500010
软件 Microchip Technology HI-TECH C PRO FOR PIC10/12/16
SUM40N02-12P-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK
MS3101E10SL-3P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS FREE HNG W/PINS
MS3106R22-20PW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/PINS
SY10E158JC TR
逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC MULTIPLEXER 5-BIT 2:1 28-PLCC
SUM40N10-30-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
T520C227M006ATE015
钽 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2312
MS3101E10SL-3PF187
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3 POS FREE HNG W/PINS
SY10E158JZ TR
逻辑 - 信号开关，多路复用器，解码器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC MULTIPLEXER 5-BIT 2:1 28-PLCC
MS3106R22-20S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/SKTS
SI7994DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC

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