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SI7946DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7946DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7946DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7946DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7946DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7946DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：150V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SS10PH45HM3/87A
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 45V SMPC
SMAJ85CA
TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 85V 400W BI 5% SMD
SI7942DP-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC
MMZ1608S301A
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 300 OHM 500MA 0603
SLF6045T-1R5N4R0-3PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR POWER 1.5UH 4.0A SMD
SRR1280-820M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 2.3A SMD
SMAJ9.0A-TP
TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 9.0V UNIDIRECT SMA
SS-110-G-2-N
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc TO-277，3-PowerDFN CONN RCPT .100" 10POS GOLD T/H
ST72F344S4T6TR
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 8KB FLASH 44LQFP
MMZ1608S471A
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 470 OHM 500MA 0603
SRR12-LAB1
无源 - 电感器，线圈，扼流圈 Bourns Inc. 非标准 KIT PWR INDUCTOR 2PC EACH
SLF6045T-6R8N2R0-3PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH 2.0A SMD
MMZ1608Y301B
铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 0603（1608 公制） FERRITE CHIP 300 OHM 500MA 0603
SI7956DP-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
SSL-LX2577IGW
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 径向 - 3 引线 LED 2X5MM RECT RED/GRN DIFFBICLR

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