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SI7923DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 6.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7923DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 6.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7923DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 6.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7923DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 6.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7923DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 6.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7923DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：47 毫欧 @ 6.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

RP10-4812DEW/P
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V
SI7923DN-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8
RT1206CRD078K66L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 8.66K OHM 1/4W .25% SMD 1206
ROV07-241K-2
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 7mm VARISTOR 240VDC 7MM 10% LEADED
SA051C222KARC
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 2200PF 100V 10% AXIAL
SHR-02V-S-B
矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 6-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN HOUSING SH 2POS 1MM WHITE
SG1M-SM
接地线，接地带 3M 16-DIP ESD SOLE GROUNDER 1MEG SMALL
RP10-4812DEW/P/M2
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V
RNMF14FTC12R0
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 12 OHM 1% AXIAL
ROV07-361K
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 7mm VARISTOR 360VDC 7MM 10% LEADED
SA051C682KAA
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 6800PF 100V 10% AXIAL
SHR-04V-S-B
矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 6-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN HOUSING SH 4POS 1MM WHITE
SG200S-M0
扎带 Panduit Corp CABLE TIE STANDARD BLK 8.3"
RNMF14FTC150K
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 150K OHM 1% AXIAL
RP10-4812DEW/P-HC
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块 CONV DC/DC 10W 18-75VIN +/-12V

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