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SI7913DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7913DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7913DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7913DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7913DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7913DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7913DN-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8
VI-B3Y-CV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-B51-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
VI-BN4-IV-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VJ1812Y183KBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 0.018UF 50V 10% X7R 1812
SI1988DH-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6
VI-B0H-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
SL-121-G-10
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 径向 CONN RCPT .100" 21POS GOLD PCB
VI-B3Y-CV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-BN4-IW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
VI-B0H-IX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
VI-B1L-EU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
SI2155-B30-GM
线性 - 视频处理 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC DTV TUNER WORLDWIDE 32-QFN
SL12-1R308
涌入电流限制器 (ICL) Ametherm 塑模盘 CURRENT LIMITER INRUSH 1.3OHM 8A
VI-B3Y-CW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W

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