SI7911DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:剪切带 (CT)
SI7911DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:Digi-Reel®
SI7911DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
SI7911DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:剪切带 (CT)
SI7911DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:Digi-Reel®
SI7911DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:51 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
- 快动,限位,拉杆 Omron Electronics Inc-EMC Div TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SW S-MINI SPST-NC 10.1A RL PLNGR
- LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 LED YELLOW WATER CLEAR SOT-23
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 16K FLASH 44-LQFP
- 固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 15UH 6028
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 270UH 1.20A SMD
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 44-LQFP MCU 8BIT 32KB FLASH/ROM 44-TQFP
- LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 LED YELLOW WATER CLEAR SOT-23
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 85V 400W UNI 5% SMD
- 铁氧体磁珠和芯片 TDK Corporation 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 300 OHM 500MA 0603
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 390UH 1A SMD
- 固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 150UH SMD
- LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 径向 LED T-2MM 565NM GREEN TRNSP DIFF
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 48K FLASH 44-LQFP
- 二极管,整流器 - 阵列 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 40V SMPC
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC,SMA DIODE TVS 85V 400W UNI 5% SMA