SI7904BDN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:Digi-Reel®
SI7904BDN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
SI7904BDN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:剪切带 (CT)
SI7904BDN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:17.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:剪切带 (CT)
SI7904BDN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:17.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:Digi-Reel®
SI7904BDN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
- 功率_最大:17.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 30PF 150V 1% 0605
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 158K OHM 1/10W .5% SMD 0603
- DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 3A 3.3VDC .9-2.5V SMD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 560PF 150V 10% 1111
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 500V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 30PF 150V 5% 0605
- DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 3A 3.3V .9-2.5VOUT SM
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 680PF 150V 10% 1111
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YELLOW 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 500V 20% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 30PF 150V 5% 0605