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SI7904BDN 全国供应商、价格、PDF资料

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SI7904BDN-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
包装:Digi-Reel®

SI7904BDN-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
包装:带卷 (TR)

SI7904BDN-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
包装:剪切带 (CT)

SI7904BDN-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
功率_最大:17.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
包装:剪切带 (CT)

SI7904BDN-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
功率_最大:17.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
包装:Digi-Reel®

SI7904BDN-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 1212-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 7.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 10V
功率_最大:17.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
包装:带卷 (TR)

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