SI7868ADP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.25 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6110pF @ 10V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7868ADP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.25 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6110pF @ 10V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 500V 5% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 113 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 27PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 1000PF 150V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 500V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 11.5 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2PF 150V 0605
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 2X3" RED ON WHITE 50/PK