SI7862ADP-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：16V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 29A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7340pF @ 8V
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：带卷 (TR)
SI7862ADP-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：16V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 29A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7340pF @ 8V
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 标签，标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 107 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1000PF 500V 5% RADIAL
- 标签，标记 3M (TC) LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 27PF 150V 2% 0605
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 10.5K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 120PF 500V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 10K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 27PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 200PF 300V 5% 1111
13510131896 
0755-23919407 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82574045 
0755- 8255602 
0755-83015506 
171-4729-9698 
0755-/8321846 
0755-83777607 
755-83616256 
0755-82723761 
0755-83798683 
