SI7856ADP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7856ADP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:15A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.7 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AA,SMB DIODE GPP 3A 1000V SMB
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC,DO-15,轴向 TVS UNIDIR 500W 36V 5% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK 8SOIC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc SPAK-5 IC REG LDO 1.5V 3A SPAK-5
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKT SIDE FOR S82H-50
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AB,SMC DIODE GPP 3A 1000V SMC DO-214AB
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 100V UNIDIR SMB
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRKT G DIN-RAIL 300W
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA IC REG LDO 1.2V 5A TO-263-7
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries DO-214AB,SMC TERM BLK HI CURRENT 4CIRC 4/0AWG
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS UNIDIR 600W 100V 5% SMB
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKT SIDE FOR S82H-50
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK 8SOIC