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SI7842DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7842DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7842DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7842DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7842DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7842DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SR215E103MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 20% RADIAL
SQCAEM1R8CATWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 1.8PF 150V 0605
RT0402DRD076K65L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 6.65K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SI7842DP-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SHIPLBL-057-50
标签，标记 3M (TC) LABEL 3X4" BLCK/RED ON WHT 50/PK
SQCB9M161JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 160PF 300V 5% 1111
SR151C561KAT
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 100V 10% RADIAL
SI4778DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SR215E104MAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
RT0402DRD0771K5L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 71.5K OHM 1/16W .5% SMD 0402
SHIPLBL-059-50
标签，标记 3M (TC) LABEL 1X1" BLUE/RED ON WHT 50/PK
SQCB9M161JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 160PF 300V 5% 1111
SR151C561MAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 100V 20% RADIAL
SI4804CDY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
RT0402DRD0775RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 75.0 OHM 1/16W .5% SMD 0402

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