SI768的供应信息|PDF资料|求购SI768上51电子网

SI7682DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1595pF @ 15V; 功率_最大：27.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7682DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1595pF @ 15V; 功率_最大：27.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7686DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 13.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：37.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7686DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 13.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：37.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7686DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 13.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：37.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7686DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：35A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 13.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 15V; 功率_最大：37.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SQCB7M820JAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 82PF 500V 5% 1111
SI7668ADP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
RT0402DRD07390RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 390 OHM 1/16W .5% SMD 0402
SQCAEM150JATME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 15PF 150V 5% 0605
RTO050F1R000JTE1
通孔电阻器 Vishay Sfernice TO-220-2 RES 1.0 OHM 50W 5% TO-220
SHIPLBL-022
标签，标记 3M (TC) LABEL 4X6" BLK/RED ON WHT 500/PK
SR151C122KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1200PF 100V 10% RADIAL
SQCB7M820JATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 82PF 500V 5% 1111
SI4721-B20-GMR
RF 收发器 Silicon Laboratories Inc 20-UFQFN 裸露焊盘 IC TXRX FM RADIO RDS/RBDS 20UQFN
SR151C221KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL
SQCAEM160GAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 16PF 150V 2% 0605
SHIPLBL-024
标签，标记 3M (TC) LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK
RTO050F56R00JTE1
通孔电阻器 Vishay Sfernice TO-220-2 RES 56 OHM 50W 5% TO-220
SI4730-B20-GM
RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-UFQFN 裸露焊盘 IC RX RADIO MULTI-BAND 20UQFN
SQCB7M8R2BAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 8.2PF 500V 1111

SI768 全国供应商、价格、PDF资料