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SI7478DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7478DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7478DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7478DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7478DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7478DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SA305C334KAC
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 0.33UF 50V 10% AXIAL
SMAJ14A-E3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 14V 5% SMA
SI7465DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
RYM10DTKN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD
RPR30-11024D-1
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块 CONV DC/DC 30W 40-160VIN 24VOUT
S152Z29Y5VP6UK5R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 1500PF 2KV RADIAL
SA305C334KAR
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 0.33UF 50V 10% AXIAL
SA052A220KAR
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 22PF 200V 10% AXIAL
SLF10145T-152MR22-H
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR 1500UH .22A 20% SMD
RYM10DTKN-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND
RPR30-11024D-1F
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块 CONV DC/DC 30W 40-160VIN 24VOUT
S153M59Z5UN63J7R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 0.015UF 1KV 20% RADIAL
SA305C474MAR
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 0.47UF 50V 20% AXIAL
SA052A470JAC
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 47PF 200V 5% AXIAL
SLF10145T-220M1R9-PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 22UH 10145

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