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SI7463DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫欧 @ 18.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7463DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫欧 @ 18.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7463DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 40V 11A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫欧 @ 18.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

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RT1206DRE075K1L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 5.10K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SMAJ13CHE3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 13V 10% SMA
SI3216DCQ1-EVB
评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 38-VFQFN 裸露焊盘 DAUGHTER CARD W/SI3201 INTERFACE
RYM18DTAS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD

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