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SI7462DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7462DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7462DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7462DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7462DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

SI7462DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

MS3100R36-14S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 16POS WALL MNT W/SKTS
SML312BC4TT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 468NM BLUE WTR CLR 0603 SMD
SI7462DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
MS27656E11A98S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
SIR158DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SY100EP11UZG
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CLOCK BUFFER 1:2 3GHZ 8-SOIC
MS3106R14S-2S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 4 POS STRAIGHT W/SCKT
MS3100R36-7PW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 47 POS WALL MNT W/PINS
SML312EC4TT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 523NM GREEN WTR CLR 0603 SMD
SIR166DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SY100EP140LZC
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC FREQUENCY DETECTOR 3.3V 8SOIC
MS3106R14S-5P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 5 POS STRAIGHT W/PINS
MS3100R36-9S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 31 POS WALL MNT W/SCKT
MS27656E11F13S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 13POS WALL MNT W/SCKT
SML312ECTT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 525NM GREEN WTR CLR 0603 SMD

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