SI7461DP-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：剪切带 (CT)
SI7461DP-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：Digi-Reel®
SI7461DP-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：带卷 (TR)
SI7461DP-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：Digi-Reel®
SI7461DP-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：剪切带 (CT)
SI7461DP-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/Y
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SLIC/CODEC PROG 1CH 38TSSOP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 52.3K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC，SMA DIODE TVS 130V 400W BI 5% SMD
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 4PT 10/100BTX SHLD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS R/A .156 SLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 53.6 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX SHLD
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 130V 400W BIDIR 5% SMA
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS R/A .156
0755-23140719 
0755-84507209 
0755-22929859 
0755-83202411 
0755-23914262 
13410941925 
18926544209/1 
0755-23991909 
0755-23612326 
0755-82522939 
18927479189 
0755-８２７８９２９６ 
0755-83663430 
0755-88917652 
0755-83051566 
19166203057 
