SI7460DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7460DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7460DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7460DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7460DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7460DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC RX FM/WB RAD RDS/RBDS 24SSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/4W 83.5K OHM 0.1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES 22.1 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 1.33K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 10.5K OHM 1/2W 1% AXIAL
- DIP C&K Components 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SWITCH DIP TAPE SEALED 1POS SMD
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC CAR RADIO RX AM/FM 32QFN
- 蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VAC 2KHZ FAST DBL PULSE
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 118K OHM 1/2W 1% AXIAL
- DIP C&K Components 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SWITCH DIP TOP SLIDE FLUSH 2POS
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 1.78K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0805(2012 公制) RES 249 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC CAR RADIO RX AM/FM 32QFN
- 蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VAC 2.9KHZ 1M DELAY OFF