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SI7431DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7431DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7431DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7431DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7431DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7431DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：174 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 100W
SI7431DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK 8SOIC
SKY13345-368LF
RF 开关 Skyworks Solutions Inc 12-UFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH SP3T 3.5GHZ 12QFN
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陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 91PF 50V 5% NP0 1808
VI-B44-IU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
VI-B4Z-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-B5P-EY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
VI-B3M-IY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
SKY13345-368LF-EVB
RF 评估和开发套件，板 Skyworks Solutions Inc 12-UFQFN 裸露焊盘 EVAL BOARD FOR SKY13345
VJ1808A910JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 91PF 1.5KV 5% NP0 1808
VI-B4Z-EW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-B3T-MX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W
VI-B3M-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
VI-B44-IV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W

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