

SI7430DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:WFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7430DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:WFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5A,10V
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- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7430DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:WFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5A,10V
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- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7430DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
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- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7430DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7430DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 26A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:26A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1735pF @ 50V
- 功率_最大:64W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 8200PF 50V 5% NP0 1808
- RF 评估和开发套件,板 Skyworks Solutions Inc 8-UFDFN 裸露焊盘 EVAL BOARD FOR SKY13309
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 200W
- RF 开关 Skyworks Solutions Inc 6-XFDFN 裸露焊盘 IC SWITCH SPDT 100M-6GHZ 6-MLPD
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 8200PF 50V 10% NP0 1808
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W