

SI7415DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 5.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7415DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 5.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7415DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 5.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7415DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 5.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7415DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 5.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7415DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 5.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 14POS STRAIGHT W/SCKT
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET P-CH 20V SC-70-6
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 7A 1212-8
- PMIC - 稳压器 - 线性 Vishay Siliconix SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 IC REG LDO 3.3V .15A TSOT23-5
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) LED 555NM GREEN WTR CLR 0805 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 56PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 48 POS STRAIGHT W/PINS
- PMIC - 稳压器 - 线性 Vishay Siliconix PowerPAK? TSC-75-6 IC REG LDO 1.2V .15A SC75-6
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 5PF 200V RADIAL
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) LED 585NM YLW WTR CLR 0805 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.015UF 100V 5% RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS INLINE W/PINS
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 30V SC-70-6