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SI7411DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 11.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7411DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 11.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7411DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 11.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

SI7411DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 11.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7411DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 11.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

SI7411DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 11.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 300µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

RTE44024F
功率，高于 2 安 TE Connectivity 径向 RELAY GEN PURPOSE DPST 8A 24V
SR151A471JAATR2-
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
RT0402CRE07910RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 910 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7411DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
RT0805CRD07475RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 475 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4620DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
SH8K3TB1
FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8
RTEF135
PTC 可复位保险丝 TE Connectivity 径向 POLYSWITCH RTE SERIES 1.35A HOLD
SR151A471JART
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
RT0402DRD0710K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 10.2K OHM 1/16W .5% SMD 0402
RT0805CRD0747RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 47.0 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4620DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
RTEN-5006
线路滤波器 TDK-Lambda Americas Inc 径向 EMI FILTER 500VAC 6A SCREW TERM
SH8M70TB1
FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 250V SOP8
SR151A471KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL

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