SI7390DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7390DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 4.7UH SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc 矩形接线盒 BUZZ VDC 2KHZ FAST PULSE
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 4.37K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 332 OHM 1/8W 0.1% 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 6.49K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 100UH SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 44.2K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 4.53K OHM 1/4W .1% AXIAL
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-UFQFN 裸露焊盘 IC FM RADIO TUNER 20QFN
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 6.49K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 36.1K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 45.3K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 22UH SMD