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SI7222DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7222DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7222DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

SI7222DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：17.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：剪切带 (CT)

SI7222DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：17.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：Digi-Reel®

SI7222DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：42 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V; 功率_最大：17.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual; 包装：带卷 (TR)

VI-B0V-MX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VI-B5N-MV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 150W
SI7212DN-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
VJ1210A560JBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 56PF 200V 5% NP0 1210
VI-B3M-CX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VI-B44-CV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B4Y-IV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-B0V-MX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VI-B4R-CY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
VJ1210A560JBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 56PF 500V 5% NP0 1210
VI-B3M-CX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VI-B44-CV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
VI-B4Y-IV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VI-B4R-CY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
VI-B0W-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W

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