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SI7112DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 17.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

SI7112DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 17.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7112DN-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 17.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7112DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 17.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7112DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 17.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7112DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 17.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：Digi-Reel®

MS3100E24-7S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 16POS WALL MNT W/SKTS
SI7110DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
MS3106E16S-4PW
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 2 POS STRAIGHT W/PINS
MS27497T20B35PBLC
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 79POS WALL MT PIN
T495X156K050ATE300
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 15UF 50V 10% 2917
MS27508E14B37PB
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS BOX MNT W/PINS
SR211A820JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL
MS3100E28-10S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS WALL MNT W/SKTS
MS27497T20B39B
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 39POS WALL MT SCKT
MS27508E14B5PLC
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 5POS BOX MNT PINS
T495X157K016ASE100
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 150UF 16V 10% 2917
MS27497T20B39PB
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 39POS WALL MNT W/PINS
SR211A821FAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 820PF 100V 1% RADIAL
MS3100E28-11P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 22POS WALL MNT W/PINS
MS3106E16S-5PF187
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 3 POS STRAIGHT W/PINS

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