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SI6963BDQ-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

SI6963BDQ-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI6963BDQ-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 3.4A 8TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

SI6963BDQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI6963BDQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

SI6963BDQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 3.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

SI1029X-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F
SR151C471JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
MMSZ5231BS-7
单二极管/齐纳 Diodes Inc SC-76，SOD-323 DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD-323
SSQ-135-03-S-D-RA
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 70PS DL R/A GOLD
SRF0703-330M
阵列，信号变压器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 33UH SMD
SMA6J170CA-TR
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 170V BIDIRECT SMA
SI5010-EVB
评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 BOARD EVALUATION FOR SI5010
MMSZ5231BT1G
单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD-123
RY-2409D
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（5 引线） CONV DC/DC 1W 24VIN +/-09VOUT
SSQ-135-03-S-S
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 35POS SNGL GOLD
SRF0703-470M
阵列，信号变压器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 47UH SMD
SMA6J17A-E3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 600W 17V 5% SMA
SI-50139-F
模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 20-VFQFN 裸露焊盘 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/Y
MMSZ5231BT3
单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD-123
RY-2412D/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（5 引线） CONV DC/DC 1W 24VIN +/-12VOUT

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