SI6954ADQ-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

SI6954ADQ-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 3.4A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商设备封装：8-TSSOP

包装：带卷 (TR)

SI6954ADQ-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 3.4A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商设备封装：8-TSSOP

包装：剪切带 (CT)

SI6954ADQ-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 3.4A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：830mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商设备封装：8-TSSOP

包装：Digi-Reel®