SI6933DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6933DQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 47.0UH SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 82K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 51POS PIN 36" WIRE
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/8W 10.7K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 4.70UH SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 8.06K OHM 1/8W 0.5% 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 118K OHM 1% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 68.0UH SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 20"
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 8.2 OHM 1/8W 0.5% 1206