SI6467BDQ-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI6467BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6467BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6467BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6467BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6467BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6467BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):850mV @ 450µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
- 评估演示板和套件 Exar Corporation 48-TQFP EVAL BOARD FOR ST16C654 68PLCC
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16PT INPUT PNP
- 矩形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd DO-214AA,SMB CONN CABLE BUSHING 4.0MM
- 标记 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块(14 引线) CONV DC/DC 2W 12VIN +/-05VOUT
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP(0.525",13.35mm),侧端口 SENSOR PRES 30PSI ABSO 5V DIP
- 时钟/计时 - 实时时钟 EPSON 20-VSOJ IC REAL TIME CLOCK 20-VSOJ
- 接口 - UART(通用异步接收器/发送器) Exar Corporation 64-LQFP IC UART FIFO 64B QUAD 64LQFP
- 标记 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块(14 引线) CONV DC/DC 2W 12VIN +/-05VOUT
- 功率 Signal Transformer 2-SMD XFRMR PWR 115V 12VAC .50A
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP(0.525",13.35mm),侧端口 SENSOR PRES .25BAR GAUG 5V DIP
- SCR - 单个 Vishay Semiconductors TO-200AB,A-PUK SCR INVERTER 1000V 330A A-PUK
- 时钟/计时 - 实时时钟 EPSON 20-VSOJ IC REAL TIME CLOCK 20-VSOJ