SI6463BDQ-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
SI6463BDQ-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI6463BDQ-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI6463BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI6463BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI6463BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
- 接口 - UART（通用异步接收器/发送器） Exar Corporation 44-LCC（J 形引线） IC UART FIFO 32B 44PLCC
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOD I/O IP67 8PT INPUTS PNP
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP（0.525"，13.35mm） SENSOR PRES 100PSI ABSO 5V DIP
- 矩形 - 自由悬挂，面板安装 Hirose Electric Co Ltd DO-214AA，SMB CONN PLUG 18POS SOLDER
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块（14 引线） CONV DC/DC 2W 09VIN +/-3.3VOUT
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
- 时钟/计时 - 实时时钟 EPSON 24-SOIC （0.311"，7.90mm 宽） IC REAL TIME CLOCK 24-SOP
- 接口 - UART（通用异步接收器/发送器） Exar Corporation 48-TQFP IC UART FIFO 32B 48TQFP
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP（0.525"，13.35mm） SENSOR PRES 150PSI ABSO 5V DIP
- 矩形 - 自由悬挂，面板安装 Hirose Electric Co Ltd DO-214AA，SMB CONN PLUG 24POS SOLDER
- 标记 TE Connectivity TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MARKER SNAP-ON 4 8.5-11.5MM WHT
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块（14 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN +/-05VOUT
- 时钟/计时 - 实时时钟 EPSON 24-SOIC （0.311"，7.90mm 宽） IC REAL TIME CLOCK 24-SOP
- 评估演示板和套件 Exar Corporation 48-TQFP EVAL BOARD FOR ST16C654 68PLCC
15821228847 / 
15026993318 / 
13410941925 
13528893675 
0755-82561519 
0755-83226745 
13510131896 
0755-82561519 
0755-23919407 
0755-83209630 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
13711580601 
0755-82569753 
