SI6459BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6459BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6459BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6459BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6459BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6459BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫欧 @ 2.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
- 钽 Kemet 2824(7260 公制) CAP TANT 100UF 20V 10% 2824
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 17POS WALL MNT W/PINS
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 4 POS STRAIGHT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 2PF 100V RADIAL
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
- 钽 Kemet 2824(7260 公制) CAP TANT 100UF 20V 10% 2824
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 4 POS STRAIGHT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 330PF 100V 1% RADIAL
- 钽 Kemet 2824(7260 公制) CAP TANT 220UF 16V 10% 2824
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 23POS WALL MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 17POS WALL MNT W/SKTS