SI6423DQ-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI6423DQ-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI6423DQ-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
SI6423DQ-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI6423DQ-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI6423DQ-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.05W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-TSSOP
- 包装：Digi-Reel®
- 接口 - UART（通用异步接收器/发送器） Exar Corporation 64-LQFP IC UART FIFO 16B QUAD 64LQFP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOD I/O IP67 8PT INPUTS NPN
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 STMicroelectronics 56-QFN IC MUX/DEMUX QUAD 2X1 56QFN
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP 模块 STAND ACCURACY TOTAL ERROR BAND
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块（14 引线） CONV DC/DC 2W 09VIN +/-15VOUT
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 13A DPAK
- 时钟/计时 - 实时时钟 EPSON 24-SOIC （0.311"，7.90mm 宽） IC REAL TIME CLOCK 24-SOP
- 评估演示板和套件 Exar Corporation 68-LCC（J 形引线） EVAL BOARD FOR ST16C554D 64TQFP
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP（0.525"，13.35mm） SENSOR PRES 5PSI DIFF 3.3V DIP
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模块（14 引线） CONV DC/DC 2W 09VIN 15VOUT
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
- 微調器 Vishay BC Components 56-QFN TRIMMER 100K OHM 0.125W SMD
- 时钟/计时 - 实时时钟 EPSON 18-DIP（0.300"，7.62mm） IC RTC SER +-50PPM 18-DIP
- 接口 - UART（通用异步接收器/发送器） Exar Corporation 64-LQFP IC UART FIFO 16B QUAD 64LQFP
0755-82525087 
010-62962871、 
0755-82780082 
0755-82798529 
0755-23613962 
0755-23915992 
075584505750 
15899765957 1 
0755-83798683 
010-62962871、 
18922805453 
