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SI5920DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 6.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 4V; 功率_最大：2.04W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5920DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 6.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 4V; 功率_最大：2.04W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5920DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：8V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 6.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 4V; 功率_最大：2.04W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

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PMIC - 监控器 Richtek USA Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT DETECTOR 2.6V SOT23-3
ST1480ACN
接口 - 驱动器，接收器，收发器 STMicroelectronics 8-DIP（0.300"，7.62mm） TXRX RS485/422 3.3V ESD 8-DIP
STD12W-K
标记 TE Connectivity TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 WIRE & CABLE MARKERS

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