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SI5504BDC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5504BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5504BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5504BDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A，3.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V; 功率_最大：3.12W，3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5504DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.9A，2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5504DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.9A，2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 2.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5499DC-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
RT9198-18GU5R
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 1.8V .3A SC70-5
RNMF12FTD110R
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/2W 110 OHM 1% AXIAL
S222K39Y5PN65K6R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 2200PF 1KV 10% RADIAL
RT9198-1HGY
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc SC-82 IC REG LDO 1.85V .3A SC82
SI5504DC-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
RW2-2409S/H2/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 18-36VIN 09VOUT
S222K39Y5PN6BJ5R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 2200PF 1KV 10% RADIAL
RT9198-28GY
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc SC-82 IC REG LDO 2.8V .3A SC82
RW2-2412D
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 18-36VIN +/-12VOUT
RT9198-33GBG
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.3V .3A SOT23-5
S222K43X7RN63J5R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 2200PF 1KV 10% RADIAL
RNMF12FTD12K4
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/2W 12.4K OHM 1% AXIAL
SI5511DC-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
RW2-2412D/H2/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 18-36VIN +/-12VOUT

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