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SI5475DDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5475DDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5475DDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 5.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

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