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SI5432DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：6.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5432DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：6.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5432DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：6.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5433BDC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 4.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5433BDC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 4.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5433BDC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 4.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

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SI5433BDC-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
RT1206BRD0713K3L
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SI3460DDV-T1-GE3
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芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 62.0 OHM 1/4W 1% SMD 1206
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板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 18POS DUAL TIN
RT1206BRD0715R4L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 15.4 OHM 1/4W .1% SMD 1206
SI3460DDV-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
SFR2500001053FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 105K OHM METL FILM .40W 1% T
RT1206FRE0763K4L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 63.4K OHM 1/4W 1% SMD 1206
SQCB7M680JATWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 68PF 500V 5% 1111
SDL-110-G-12
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20POS DUAL GOLD