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SI5406CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 6.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5406CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 6.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5406CDC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 6.5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

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SI5406CDC-T1-GE3
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PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc TO-243AA IC REG LDO 2V .6A SOT89
RT9167-28GB
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 2.8V .3A SOT23-5
RPER72A473K2S1C03A
陶瓷 Murata Electronics North America 径向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
S220J25SL0P63K5R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 22PF 2KV 5% RADIAL
RT9167-45GB
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 4.5V .3A SOT23-5
S220J25SL0P63K5R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 22PF 2KV 5% RADIAL
RPER72A562K2P1A03B
陶瓷 Murata Electronics North America 径向 CAP CER 5600PF 100V 10% RADIAL
RNMF12FAD2R20
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/2W 2.2 OHM 1% AXIAL
SI5414DC-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N-CH D-S 20V 1206-8
RT9167A-40GB
PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 4V .5A SOT23-5