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SI4992EY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4992EY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4992EY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 75V 3.6A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4992EY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4992EY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4992EY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 75V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：48 毫欧 @ 4.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

VIBLSD1-S12-S15-DIP
DC DC Converters CUI Inc 14-DIP 模块（300 mil，5 引线） CONVERTER DC/DC 15V REG OUT 1W
VI-JWN-IW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W
VI-B33-EV-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W
SI4974DY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SH470M010ST
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 47UF 10V 20% RADIAL
VJ1206A330JXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 33PF 1KV 5% NP0 1206
VI-B7L-MY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
VI-B6X-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VIBLT1-S12-S5-SMT
DC DC Converters CUI Inc 14-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）12 引线 CONVERTER DC/DC 5V 0.75W SMD
SH470M063ST
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 47UF 63V 20% RADIAL
VJ1206A330KBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 33PF 200V 10% NP0 1206
VI-B6X-IW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VI-B7M-CW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W
VI-B33-EX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W
VIBLT1-S24-S12-SMT
DC DC Converters CUI Inc 14-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）12 引线 CONVERTER DC/DC 12V-OUT 1W SMD

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