SI4946BEY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 5.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 30V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4946BEY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 5.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 30V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4946BEY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 5.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 30V
- 功率_最大:2.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4946BEY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 5.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 30V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4946BEY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 5.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 30V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4946BEY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 5.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 30V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 0.5W 05VIN 15VOUT
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 34.8K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
- 卡架 - 配件 Vector Electronics 径向 RAIL FRAME LOC 2" ALUMINUM
- 电路板衬垫,支座 Bivar Inc 非标准 SCREW SPACER PVC .155X.25 #4 GY
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 16.9 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 18PF 100V 2% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2010(5025 公制) RES .075 OHM .6W 2010 SMD
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 0.5W 05VIN 15VOUT
- 电路板衬垫,支座 Bivar Inc 非标准 PVC SCREW SPACER 0.19"
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 180K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 插入,抽取 Emerson Network Power Connectivity Trompeter TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TOOL REMOVAL BNC/TRB PLUG R/A 6"
- 铆钉 Richco Plastic Co 径向 SNAP RIVET WHT .173-.197"THICK
- 芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2010(5025 公制) RES .47 OHM .6W 2010 SMD
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 0.5W 12VIN 05VOUT