SI4913DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4913DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4913DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4913DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4913DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4913DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 500µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 热缩管 Daburn Electronics 径向 HEATSHRINK BLACK 1/2IN X 5FT
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 24PF 500V 10% NP0 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 200W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针法兰半砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 150W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 27PF 100V 5% NP0 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针法兰半砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 25W
- 热缩管 Daburn Electronics 径向 HEATSHRINK BLACK 3IN X 100FT
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 25W