

SI4910DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:855pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4910DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:855pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4910DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:855pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4910DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:855pF @ 20V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4910DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:855pF @ 20V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4910DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:855pF @ 20V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- TVS - 二极管 Microsemi Commercial Components Group 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TVS ARRAY BIDIR 3.3 VWM SO-8
- FET - 单 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-243AA SENSOR HALL EFFECT LATCHING SMD
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Richtek USA Inc 12-WFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 12WQFN
- 逻辑 - 专用逻辑 IDT, Integrated Device Technology Inc 56-VFQFN 裸露焊盘 IC REGISTER BUFF 13-26B 56VFQFPN
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS 400W 28V BIDIRECT SMA
- TVS - 二极管 Microsemi Commercial Components Group 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TVS ARRAY BIDIR 5.0 VWM SO-8
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-243AA SENSOR LATCHNG HALLEFFECT SENSOR
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Richtek USA Inc 12-WFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 12WQFN
- 逻辑 - 专用逻辑 NXP Semiconductors 56-VFQFN 裸露焊盘 IC BUFFER DDR 13BIT 56-HVQFN
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS DIODE 10V 6600W UNI DO218AB
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIR 400W 28V 10% SMA